Меню





Лазерные диоды с двойным гетеропереходом


Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

Для практической реализации лазера, полупроводниковые области, примыкающие к рабочей области должны обладать показателем преломления меньшим, чем показатель преломления рабочей области. Если одновременно обеспечить практически полное отражение света от заднего торца лазерного диода, то эффективность генерации света приближается к своему максимальному значению.

Лазерные диоды с двойным гетеропереходом

Такая конструкция позволяет удерживать световое излучение в границах активной области генерации света за счет эффекта полного внутреннего отражения в такой структуре, что необходимо для эффективной работы лазера. Нарушение авторских прав. Сама конструкция двойного гетероперехода, предложенная Ж.

Лазерные диоды с двойным гетеропереходом

Избыточные электроны и дырки могут возникать посредством инжекции этих носителей заряда в рабочую область диода, то есть путем прямого электрического смещения гетероперехода например, как это осуществляется в двойном гетеропереходе n-AlGaAs-GaAs-p-AlGaAs.

Такая конструкция позволяет удерживать световое излучение в границах активной области генерации света за счет эффекта полного внутреннего отражения в такой структуре, что необходимо для эффективной работы лазера. Алферовым, и технологическое воплощение этой идеи в полупроводниковой структуре ФТИ, с.

Избыточные электроны и дырки могут возникать посредством инжекции этих носителей заряда в рабочую область диода, то есть путем прямого электрического смещения гетероперехода например, как это осуществляется в двойном гетеропереходе n-AlGaAs-GaAs-p-AlGaAs.

Нарушение авторских прав. Генерация света в полупроводниковых лазерах, так же как и в других типах лазерных устройств, осуществляется за счет двух основных механизмов:

Сама конструкция двойного гетероперехода, предложенная Ж. Для практической реализации лазера, полупроводниковые области, примыкающие к рабочей области должны обладать показателем преломления меньшим, чем показатель преломления рабочей области. Пример подобной структуры показан на рис.

Механизм генерации световой волны осуществляется в процессе излучательной рекомбинации стимулированная эмиссия света избыточных электронов и дырок, при этом длина световой волны определяется энергетическим зазором шириной запрещенной зоны полупроводника в выделенной области лазерного диода рис.

Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

Такая конструкция позволяет удерживать световое излучение в границах активной области генерации света за счет эффекта полного внутреннего отражения в такой структуре, что необходимо для эффективной работы лазера.

Дата добавления:

Механизм генерации световой волны осуществляется в процессе излучательной рекомбинации стимулированная эмиссия света избыточных электронов и дырок, при этом длина световой волны определяется энергетическим зазором шириной запрещенной зоны полупроводника в выделенной области лазерного диода рис.

Пример подобной структуры показан на рис.

Если одновременно обеспечить практически полное отражение света от заднего торца лазерного диода, то эффективность генерации света приближается к своему максимальному значению. Для практической реализации лазера, полупроводниковые области, примыкающие к рабочей области должны обладать показателем преломления меньшим, чем показатель преломления рабочей области.

Дата добавления: Такая конструкция позволяет удерживать световое излучение в границах активной области генерации света за счет эффекта полного внутреннего отражения в такой структуре, что необходимо для эффективной работы лазера. Механизм генерации световой волны осуществляется в процессе излучательной рекомбинации стимулированная эмиссия света избыточных электронов и дырок, при этом длина световой волны определяется энергетическим зазором шириной запрещенной зоны полупроводника в выделенной области лазерного диода рис.

Петербург , генерирующим когерентный световой поток при комнатных температурах, было отмечено Нобелевской Премией по физике за г, что вызвало громадный поток экспериментальных и теоретических работ, посвященных этому вопросу.

Дата добавления: Алферовым, и технологическое воплощение этой идеи в полупроводниковой структуре ФТИ, с. Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

Дата добавления: При этом примыкающие к этой области n, p-AlGaAs полупроводники имеют ширину запрещенной зоны существенно большую, чем активная область, то есть лазерная структура представляет собой двойной гетеропереход с потенциальными барьерами, препятствующими уход электронов и дырок из рабочей области, что намного порядков увеличивает эффективность работы полупроводникового лазера, и это позволяет генерировать интенсивные световые потоки при комнатных или более высоких чем комнатная температурах.

Пример подобной структуры показан на рис. Нарушение авторских прав.

При этом примыкающие к этой области n, p-AlGaAs полупроводники имеют ширину запрещенной зоны существенно большую, чем активная область, то есть лазерная структура представляет собой двойной гетеропереход с потенциальными барьерами, препятствующими уход электронов и дырок из рабочей области, что намного порядков увеличивает эффективность работы полупроводникового лазера, и это позволяет генерировать интенсивные световые потоки при комнатных или более высоких чем комнатная температурах.

Дата добавления: Если одновременно обеспечить практически полное отражение света от заднего торца лазерного диода, то эффективность генерации света приближается к своему максимальному значению.

Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

Сама конструкция двойного гетероперехода, предложенная Ж. Нарушение авторских прав.

Для практической реализации лазера, полупроводниковые области, примыкающие к рабочей области должны обладать показателем преломления меньшим, чем показатель преломления рабочей области. Сама конструкция двойного гетероперехода, предложенная Ж.

Петербург , генерирующим когерентный световой поток при комнатных температурах, было отмечено Нобелевской Премией по физике за г, что вызвало громадный поток экспериментальных и теоретических работ, посвященных этому вопросу. Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

Если одновременно обеспечить практически полное отражение света от заднего торца лазерного диода, то эффективность генерации света приближается к своему максимальному значению. Механизм генерации световой волны осуществляется в процессе излучательной рекомбинации стимулированная эмиссия света избыточных электронов и дырок, при этом длина световой волны определяется энергетическим зазором шириной запрещенной зоны полупроводника в выделенной области лазерного диода рис.

Алферовым, и технологическое воплощение этой идеи в полупроводниковой структуре ФТИ, с. Такая конструкция позволяет удерживать световое излучение в границах активной области генерации света за счет эффекта полного внутреннего отражения в такой структуре, что необходимо для эффективной работы лазера.

Алферовым, и технологическое воплощение этой идеи в полупроводниковой структуре ФТИ, с. Генерация света в полупроводниковых лазерах, так же как и в других типах лазерных устройств, осуществляется за счет двух основных механизмов: Избыточные электроны и дырки могут возникать посредством инжекции этих носителей заряда в рабочую область диода, то есть путем прямого электрического смещения гетероперехода например, как это осуществляется в двойном гетеропереходе n-AlGaAs-GaAs-p-AlGaAs.

Если первый механизм осуществляется за счет увеличения неравновесных электронно-дырочных пар в выделенной области полупроводникового лазерного диода при приложении к диоду напряжения смещения, то второй механизм связан непосредственно с конструктивными особенностями рабочей области лазера.

При этом примыкающие к этой области n, p-AlGaAs полупроводники имеют ширину запрещенной зоны существенно большую, чем активная область, то есть лазерная структура представляет собой двойной гетеропереход с потенциальными барьерами, препятствующими уход электронов и дырок из рабочей области, что намного порядков увеличивает эффективность работы полупроводникового лазера, и это позволяет генерировать интенсивные световые потоки при комнатных или более высоких чем комнатная температурах.



Онлайн негр с большим членом
Смотреть видео страпон и лесби
Стриптизерша варда в порно
Порносекс куколдов
Гей видео бесплатно смотреть
Читать далее...